[发明专利]自动优化写电压的磁性存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 201710348941.8 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962306A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 叶力;戴瑾;郭一民 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自动优化写电压的磁性存储器及其操作方法。本发明的自动优化写电压的磁性存储器包含MRAM芯片阵列结构，前述阵列结构中每个存储位元的写入操作通过在位线或源线上施加一定的驱动电压来实现。在写电压参考电压模块中产生多个参考电压电位，对应不同的工作温度区间。在存储位元阵列附近设置温度传感器。在写电压驱动电路模块和写电压参考电压模块中间插入一个参考电压选择模块，根据内置温度传感器录得的芯片实际工作温度来选择相对应的写电压参考电压电位，并输出至写电压驱动器，从而实现根据温度反馈自动优化的写电压方案。该设计方案能根据实际工作温度选择更优化的写入电压，有利于降低MRAM芯片的运行功耗，提升芯片寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 写电压 自动优化 磁性存储器 参考电压电位 参考电压模块 存储位元 参考电压选择模块 内置温度传感器 驱动器 芯片 工作温度区间 驱动电路模块 温度传感器 驱动电压 温度反馈 温度选择 写入操作 写入电压 芯片寿命 芯片阵列 运行功耗 阵列结构 在位线 源线 施加 输出 优化 | ||
【主权项】：
1.一种自动优化写电压的磁性存储器，其特征在于包含参考电压产生电路、参考电压选择电路、写电压驱动电路、温度传感器、存储位元阵列。
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