[发明专利]一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法

摘要

本发明的实施例提供了一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法，步骤包括：将CdWO₄籽晶置于坩埚下端，将CdWO₄多晶料填装到坩埚内；将所述坩埚放入陶瓷管中，所述坩埚与陶瓷管的间隙填入Al₂O₃粉，将所述陶瓷管安放在加热炉炉体中的升降台上；将所述炉体温度上升至设置温度，进行晶体生长前籽晶的熔接；启动所述升降台下降，同时用激光辐照所述固液界面；所述晶体生长结束后，降低炉温至室温，将晶体从坩埚中剥离，获得CdWO₄单晶。本发明采用坩埚下降法生长CdWO₄晶体，晶体生长同时用激光辐照生长的晶体和熔体之间的固液界面进行诱导，实现了CdWO₄晶体的稳定生长，可获得均匀透明的CdWO₄单晶，且单晶具有良好的光学质量。

主权项

1.一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法，采用坩埚下降法生长CdWO₄晶体，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.坩埚填料：将CdWO₄籽晶置于坩埚下端，将CdWO₄多晶料填装到坩埚内；步骤2.陶瓷管设置：将所述坩埚放入陶瓷管中，所述坩埚与陶瓷管的间隙填入Al₂O₃粉，将所述陶瓷管安放在加热炉炉体中的升降台上；步骤3.籽晶熔接：将所述炉体温度上升至设置温度，进行晶体生长前籽晶的熔接；步骤4.激光诱导晶体生长：启动所述升降台下降，同时用激光束辐照步骤3产生的生长的晶体和熔体之间的固液界面；具体步骤为：先将所述激光束整形成线性光斑，再将所述激光束聚焦于所述固液界面上并在所述固液界面上进行面扫描；所述激光束由波长为532nm的纳秒脉冲激光器发射；步骤5.晶体剥离：所述晶体生长结束后，降低炉温至室温，将晶体从坩埚中剥离，获得CdWO₄单晶。