[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710324137.6 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107331744B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘华容;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述发光层包括多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子阱层和所述多个量子垒层交替层叠设置，所述量子垒层为氮化镓层，所述多个量子阱层中与所述N型氮化镓层距离最近的至少三个所述量子阱层为第一量子阱层，所述多个量子阱层中除所述第一量子阱层之外的所述量子阱层为第二量子阱层，所述第一量子阱层为未掺杂的铟镓氮层，所述第二量子阱层包括P型掺杂的铟镓氮层。本发明增加量子阱层中的空穴数量，提高空穴和电子复合发光的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述发光层包括多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子阱层和所述多个量子垒层交替层叠设置，所述量子垒层为氮化镓层，其特征在于，所述多个量子阱层中与所述N型氮化镓层距离最近的至少三个所述量子阱层为第一量子阱层，所述多个量子阱层中除所述第一量子阱层之外的所述量子阱层为第二量子阱层，所述第一量子阱层为未掺杂的铟镓氮层，所述第二量子阱层包括P型掺杂的铟镓氮层。
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