[发明专利]垂直存储器件有效
| 申请号： | 201710320519.1 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107359165B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 金森宏治;宋旼莹;姜信焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/10;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直存储器件包括：在衬底上的下电路图案，在下电路图案上在基本上垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开的多个栅电极，在第一方向上延伸穿过栅电极的沟道，包括在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸的第一公共源线(CSL)的存储单元块，以及连接到下电路图案和第一CSL并在第一方向上重叠第一CSL的第一接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直存储器件，包括：在衬底上的下电路图案；在所述下电路图案上的多个栅电极，所述多个栅电极在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极的沟道；包括第一公共源线的存储单元块，所述第一公共源线在基本上平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸；以及连接到所述下电路图案和所述第一公共源线的第一接触插塞，所述第一接触插塞在所述第一方向上重叠所述第一公共源线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710320519.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
