[发明专利]一种太阳能电池片制绒质量检测方法有效
申请号: | 201710300937.4 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN107170692B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 苏亚;姚晓天;刘会清 | 申请(专利权)人: | 河北大学;苏州光环科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 苏艳肃 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池片制绒质量检测方法,包括以下步骤:在待测制绒硅片上确定检测区域;用OCT系统对检测区域进行扫描,得到检测区域的三维图像;通过对图像进行处理得到制绒硅片上绒面的均匀性情况以及反射率信息;通过绒面均匀性和反射率参数来综合评价电池片制绒质量。本发明可以实现非接触、无损伤、高灵敏度、微米量级分辨率、实时的检测,大大降低了检测成本;本发明方法不仅能够得到绒面金字塔峰不同高度的分布情况,判断绒面均匀性,且能够同时得到制绒硅片反射率信息,判断硅片陷光能力,从而更加方便和全面的判断制绒效果的好坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 片制绒 质量 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池片制绒质量检测方法,其特征在于,包括以下步骤:a、在待测制绒硅片上确定检测区域;b、用OCT系统对检测区域进行扫描,得到检测区域的三维图像;c、对得到的三维图像进行处理得到绒面的均匀性情况,包括以下步骤:c‑1、采用边界识别算法从三维图像中提取出制绒硅片的上表面图像,并找到制绒表面的最低位置作为基准面;c‑2、通过边界识别算法找到制绒表面的局部极大值作为金字塔峰的位置,并以基准面为参考统计出峰的高度;c‑3、整理出各金字塔峰高度的比例,得到检测区域内峰高的分布情况;c‑4、通过若干不同位置的检测区域内峰高的分布情况,得到制绒硅片上绒面的均匀性情况;d、对检测区域的三维图像进行处理得到制绒硅片的反射率信息,包括以下步骤:d‑1、将检测区域的三维图像沿深度方向进行平均,得到纵向的一维平均光强信号图;d‑2、用制绒硅片上表面光强值来表征制绒硅片的反射率,其上表面光强值越小,反射率也越小;e、通过绒面均匀性和反射率参数来评价电池片制绒质量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北大学;苏州光环科技有限公司,未经河北大学;苏州光环科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710300937.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:淮山调节切片装置
- 下一篇:一种具有厚度调节功能的淮山切片装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造