[发明专利]二氧化硅纳米腔阵列电极作为离子通道的应用在审
| 申请号： | 201710272486.8 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107195521A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 卢小泉;姬玲霞;何静;王晶;陈海咏;姚敏;汪天胜;魏红娟;陕多亮 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | H01J37/26 | 分类号： | H01J37/26;H01J37/04;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人： | 钟国 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了二氧化硅纳米腔阵列电极作为离子通道的应用，该二氧化硅纳米腔阵列电极由ITO导电玻璃以及孔道垂直于ITO导电玻璃表面的SiO2纳米腔阵列组成。本发明利用SiO2纳米腔阵列电极模拟生物膜离子通道，在不同pH值条件下，介孔SiO2表面荷电性质的差异调控离子在限域环境中的转移。运用SiO2纳米腔阵列电极作为离子通道，能更好的研究离子转移的动力学过程，有助于更好地认识液/液界面离子转移机理，认识生命过程中钾离子和钠离子膜转移机理，对揭示生命奥秘具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 纳米 阵列 电极 作为 离子 通道 应用 | ||
【主权项】：
二氧化硅纳米腔阵列电极作为离子通道的应用。
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