[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710272455.2 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN106876280A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 顾鹏飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/34 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 姜怡,王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法，所述制备方法，包括形成有源层；在所述有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成层间绝缘层以覆盖所述栅极和所述有源层，使得所述层间绝缘层与所述有源层之间的界面具有施主类缺陷态；在所述层间绝缘层中形成过孔以暴露所述有源层；以及在层间绝缘层上形成源极和漏极，使得所述源极和所述漏极分别通过所述过孔与所述有源层电连接。根据本发明，能够容易地使有源层局部导体化，从而降低源极/漏极与沟道区之间的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：形成有源层；在所述有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成层间绝缘层以覆盖所述栅极和所述有源层，使得所述层间绝缘层与所述有源层之间的界面具有施主类缺陷态；在所述层间绝缘层中形成过孔以暴露所述有源层；以及在层间绝缘层上形成源极和漏极，使得所述源极和所述漏极分别通过所述过孔与所述有源层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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