[发明专利]画素结构

摘要

本发明公开了一种画素结构，包括一第一基板，一薄膜晶体管，一第二绝缘层，一第一透明导电层以及一第二基板。该薄膜晶体管包括一栅极电极，一半导体主动层，一第一绝缘层以及一电极层。该栅极电极形成于该基板上。该半导体主动层形成于该栅极电极上。该第一绝缘层位于该半导体主动层与该栅极电极之间。该电极层包括一源极电极以及一漏极电极，该源极电极与该漏极电极均覆盖于该半导体主动层的部份区域。该第二绝缘层覆盖于该薄膜晶体管。该第一透明导电层，形成于该第二绝缘层上。其中该第一透明导电层沿该半导体主动层的边缘形成有一开口。本发明画素结构可以降低透明导电层与薄膜晶体管之间的感应电流，进而减少薄膜晶体管在关闭时的漏电流。

主权项

1.一种画素结构，其特征在于，包括：一第一基板；一薄膜晶体管，形成于该第一基板上，该薄膜晶体管包括：一栅极电极，形成于该第一基板上；一半导体主动层，形成于该栅极电极上；一第一绝缘层，位于该半导体主动层与该栅极电极之间；以及一电极层，包括：一源极电极，覆盖该半导体主动层的部份区域；以及一漏极电极，覆盖该半导体主动层的部份区域；一第二绝缘层，覆盖该薄膜晶体管，且该第二绝缘层的厚度小于11000埃米一第一透明导电层，形成于该第二绝缘层上；以及一第二基板，设置于该第一基板上方；其中该第一透明导电层沿该半导体主动层的边缘形成有一开口，且该开口的形状对应该半导体主动层的边缘轮廓。