[发明专利]导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201710263475.3 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108735761A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 谢蒂旎;张晓晋;李伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。本公开提供了一种导电图案结构，该导电图案结构包括：第一金属图案和第二金属图案，其中，所述第二金属图案覆盖所述第一金属图案的侧表面；形成所述第一金属图案的金属的活性比形成所述第二金属图案的金属的活性弱。本公开通过在第一金属图案上形成包覆于其侧表面上的第二金属图案以防止第一金属图案的侧表面被氧化，从而避免了第一金属图案导电性降低的问题，进而避免了产品良率下降的问题，除此之外，还降低了对设备和外界环境的要求，从而降低了导电图案结构制作工艺的复杂性，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属图案 导电图案 侧表面 显示装置 阵列基板 制备 导电性 金属 产品良率 结构制作 外界环境 对设备 活性比 包覆 生产成本 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种导电图案结构，包括：第一金属图案和第二金属图案，其中，所述第二金属图案覆盖所述第一金属图案的侧表面；形成所述第一金属图案的金属的活性比形成所述第二金属图案的金属的活性弱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710263475.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维半导体存储器装置
- 下一篇：画素结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
