[发明专利]一种基于FinFET器件的全加器在审
申请号: | 201710253940.5 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107222202A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 胡建平;杨会山;杨廷锋 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;G06F7/501 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于FinFET器件的全加器,包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管、第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第五P型FinFET管、第六P型FinFET管、第七P型FinFET管、第八P型FinFET管、第九P型FinFET管、第一反相器和第二反相器;优点是在不影响电路性能的情况下,电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 finfet 器件 全加器 | ||
【主权项】:
一种基于FinFET器件的全加器,其特征在于包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管、第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第五P型FinFET管、第六P型FinFET管、第七P型FinFET管、第八P型FinFET管、第九P型FinFET管、第一反相器和第二反相器,所述的第一N型FinFET管、所述的第二N型FinFET管和所述的第三N型FinFET管均为高阈值N型FinFET管,所述的第七P型FinFET管为高阈值P型FinFET管,所述的第四N型FinFET管、所述的第五N型FinFET管、所述的第六N型FinFET管和所述的第七N型FinFET管均为低阈值N型FinFET管,所述的第一P型FinFET管、所述的第二P型FinFET管、所述的第三P型FinFET管、所述的第四P型FinFET管、所述的第五P型FinFET管、所述的第六P型FinFET管、所述的第八P型FinFET管和所述的第九P型FinFET管均为低阈值P型FinFET管,所述的第一反相器和所述的第二反相器为结构相同的低阈值反相器;所述的第一反相器的输入端为所述的全加器的时钟端,所述的第一反相器的输出端、所述的第二反相器的输入端、所述的第一P型FinFET管的前栅、所述的第四N型FinFET管的前栅和所述的第四N型FinFET管的背栅连接,所述的第二反相器的输出端、所述的第三P型FinFET管的前栅、所述的第三P型FinFET管的背栅和所述的第六N型FinFET管的前栅连接,所述的第一P型FinFET管的源极、所述的第二P型FinFET管的源极、所述的第三P型FinFET管的源极和所述的第九P型FinFET管的源极均接入电源,所述的第一P型FinFET管的漏极、所述的第一N型FinFET管的漏极、所述的第二N型FinFET管的漏极、所述的第三N型FinFET管的漏极、所述的第五N型FinFET管的前栅、所述的第五N型FinFET管的背栅、所述的第二P型FinFET管的前栅、所述的第二P型FinFET管的背栅、所述的第五P型FinFET管的前栅和所述的第五P型FinFET管的背栅连接,所述的第一P型FinFET管的背栅、所述的第二P型FinFET管的漏极和所述的第五N型FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的全加器的高位进位信号输出端,所述的第一N型FinFET管的前栅、所述的第三N型FinFET管的前栅、所述的第四P型FinFET管的前栅和所述的第七P型FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的全加器的第一加数信号输入端,所述的第一N型FinFET管的背栅、所述的第二N型FinFET管的前栅、所述的第四P型FinFET管的背栅和所述的第七P型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的全加器的第二加数信号输入端,所述的第一N型FinFET管的源极、所述的第二N型FinFET管的源极、所述的第三N型FinFET管的源极和所述的第四N型FinFET管的漏极连接,所述的第二N型FinFET管的背栅、所述的第三N型FinFET管的背栅、所述的第六P型FinFET管的前栅、所述的第六P型FinFET管的背栅、所述的第八P型FinFET管的前栅和所述的第八P型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的全加器的第三加数信号输入端,所述的第三P型FinFET管的漏极、所述和的第四P型FinFET管的源极和所述的第六P型FinFET管的源极连接,所述的第四P型FinFET管的漏极、所述的第五P型FinFET管的源极、所述的第六P型FinFET管的漏极和所述的第七P型FinFET管的源极连接,所述的第七P型FinFET管的漏极和所述和的第八P型FinFET管的源极连接,所述的第五P型FinFET管的漏极、所述的第八P型FinFET管的漏极、所述的第九P型FinFET管的前栅、所述的第九P型FinFET管的背栅、所述的第六N型FinFET管的漏极、所述的第七N型FinFET管的前栅和所述的第七N型FinFET管的背栅连接,所述的第九P型FinFET管的漏极、所述的第七N型FinFET管的漏极和所述的第六N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的全加器的和输出端,所述的第四N型FinFET管的源极、所述的第五N型FinFET管的源极、所述的第六N型FinFET管的源极和所述的第七N型FinFET管的源极均接地。
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