[发明专利]导体形成用糊剂有效
申请号: | 201710252999.2 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107452435B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 小川昌辉;冈部一幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社则武 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | [课题]提供能够以少的钛酸钡量实现导体膜的良好的连续性的导体形成用糊剂。[解决手段]通过本发明,提供包含镍颗粒、钛酸钡颗粒和分散介质的导体形成用糊剂。该导体形成用糊剂中,钛酸钡颗粒的含量相对于镍颗粒100质量份为10质量份以下。另外,基于X射线光电子能谱(XPS)的镍颗粒表面的解析中,氢氧化镍的摩尔分数B相对于氧化镍的摩尔分数A之比(B/A)为0.2≤(B/A)1。 | ||
搜索关键词: | 导体 形成 用糊剂 | ||
【主权项】:
一种导体形成用糊剂,其为导体膜的形成中使用的导体形成用糊剂,其包含镍颗粒、钛酸钡颗粒和分散介质,所述钛酸钡颗粒的含量相对于所述镍颗粒100质量份为10质量份以下,基于X射线光电子能谱即XPS的所述镍颗粒表面的解析中,氢氧化镍的摩尔分数B相对于氧化镍的摩尔分数A之比B/A为0.2≤B/A<1。
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