[发明专利]离子注入制备氧化钛电极的红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201710252825.6 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN106847950A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 杨鑫;王宏臣;陈文礼;王鹏;甘先锋;董珊;孙丰沛 | 申请(专利权)人: | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/101;H01L31/18;G01J5/10 |
代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人: | 刘志毅 |
地址: | 264006 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器,在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜,氧化钛薄膜包括在位于中部的半导体氧化钛薄膜和位于所述半导体氧化钛薄膜两侧的导体氧化钛薄膜,使用氧化钛作为热敏层薄膜,且对部分氧化钛薄膜进行离子注入,使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜,代替现有技术中的金属电极,工艺简单,产能较高。还涉及上述探测器的制备方法,包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜,并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入,离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤,还包括去除光阻,沉积第二保护层,进行结构释放的步骤。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 制备 氧化 电极 红外探测器 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.离子注入制备氧化钛电极的红外探测器,包括一带有读出电路的半导体基座和与所述半导体基座电连接的探测器本体,其特征在于,所述探测器本体包括金属反射层、绝缘介质层、支撑层和氧化钛薄膜,所述半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层,所述金属反射层包括若干个金属块;所述绝缘介质层上设有支撑层,所述支撑层上设有锚点孔和通孔,所述通孔终止于所述金属块,所述锚点孔和所述通孔内填充有连接金属,所述支撑层和所述连接金属上设有氧化钛薄膜,所述氧化钛薄膜包括位于中部的半导体氧化钛薄膜和位于所述半导体氧化钛薄膜两侧的导体氧化钛薄膜,所述半导体氧化钛薄膜上设有第一保护层,所述导体氧化钛薄膜和所述第一保护层上设有第二保护层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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