[发明专利]固态成像装置有效
| 申请号： | 201710223868.1 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107240591B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种固态成像装置，包括：光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件；和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件，其中，所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】：
一种成像装置，包括：具有会聚光轴的透镜单元；配置为接收通过透镜单元的入射光的成像器件；布置在成像器件与透镜单元之间并且配置为遮蔽入射光的至少一部分的遮光构件；其中，该遮光构件包括开口，其中，该遮光构件的表面相对于会聚光轴形成角度“θM”，其中，该“θM”由下列公式表示：θM>＝arctan[(R+L)/2H]其中，R、L和H分别表示透镜单元的有效直径、遮光构件的开口的直径和透镜单元与遮光构件之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
