[发明专利]固态成像装置有效
申请号: | 201710223868.1 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN107240591B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
一种固态成像装置,包括:光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件;和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件,其中,所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。
本申请是申请日为2012年2月17日、申请号为201210035863.3且发明名称为“固态成像装置”的发明申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种固态成像装置,特别涉及能够抑制光斑和幻像的生成的固态成像装置。
背景技术
近年来,在固态成像装置中的图像传感器中同样,与其它半导体芯片相同地,由于前沿工艺的引入而使芯片缩小化趋于取得进展。因此,在设计图像传感器通过引线接合与基板连接的固态成像装置时,可以考虑将图像传感器设计成使得接合衬垫被配置在透镜有效直径内。
然而,在这种情况下,存在生成光斑或者幻像的危险,因为从透镜入射的光在与接合衬垫连接的线(金属线)的表面上反射,并进入图像传感器上的受光面。
鉴于此,已公开了这样一种固态成像装置,其包括用于遮蔽来自透镜的光中向配置于图像传感器上的接合衬垫的周缘上入射的光(例如,JP-A-2006-222249(专利文献1))。
根据以上方案,能够抑制由从透镜入射的光在与接合衬垫连接的金属线的表面上反射并进入图像传感器上的受光面而引起的光斑和幻像。
在固态成像装置的制造工艺中,遮光构件在图像传感器中的位置相对于设计上的位置具有给定的波动。
例如,如图图1的左侧所示,当图像传感器1的受光面1a的端部与接合至IRCF(红外线截止滤光器)4的面对图像传感器1的表面上的遮光构件3的开口的边缘部之间的距离为“d1”时,由粗箭头表示的入射光被遮光构件3遮蔽而不到达金属线2。即使当入射光在遮光构件3的开口的边缘面上反射时,反射光也不到达图像传感器1的受光面1a。假定图中由粗箭头表示的入射光是来自未示出的透镜的入射光中在图像传感器1上的入射角最大的光。此外,假定遮光构件3的开口的边缘面平行于透镜的光轴方向(图中从上向下的方向)。
另一方面,如图图1的右侧所示,图像传感器1的受光面1a的端部与遮光构件3的开口的边缘部之间的距离为“d2”,由粗箭头表示的入射光被遮光构件3遮蔽而不到达金属线2。然而,当入射光在遮光构件3的开口的边缘面上反射时,反射光进入图像传感器1上的受光面1a。
在该情况下,能够抑制由来自与接合衬垫连接的金属线2的表面的反射光引起的光斑或者幻像,然而,却因来自遮光构件3的开口的边缘面的反射光而引起光斑或者幻像。
发明内容
鉴于以上情况,希望的是抑制光斑和幻像的生成。
本公开的一个实施例涉及一种固态成像装置,其包括:光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件,和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件,其中,所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘面的光的入射角。
所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度可以大于入射到所述遮光构件的边缘部的光中入射角最大的光的入射角。
在所述固态成像器件的受光面的周缘部可以设置与连接至基板的金属线连接的衬垫,并且可能的是所述衬垫不配置在由所述固态成像器件的表面与所述遮光构件的边缘面的假想延长面之间的交点限定出的区域中靠近所述受光面的区域上。
所述固态成像器件的受光面接收从具有开口的基板的开口入射的光,并且可能的是所述开口的边缘面不与所述遮光构件的边缘面的假想延长面相交。
所述固态成像装置还可以包括密封所述固态成像器件的受光面上的空隙的密封构件,其中,所述遮光构件可以设置在所述密封构件的面对所述透镜的表面或者面对所述固态成像器件的表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的