[发明专利]一种阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201710208111.5 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106925136B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王海辉;陈莉;薛健 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22;C01B3/50 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用，属于混合导体膜材料领域。该材料的化学通式为：ACe1‑bBbO3‑δ‑c/2Xc，其中，A为Ca、Sr、Ba中的至少一种；B为Fe、Co、Ni、Nd、Tm、Y、Yb、Zr中的至少一种；X为F、Cl、Br、I中的一种；δ为非化学计量比，0.1≤b≤0.9，0≤c≤1。本发明的材料可采用固相反应法和EDTA‑柠檬酸混合络合法制备。本发明提供的阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料，阴离子的掺杂提高了膜材料的氧空穴浓度，大幅度地增加了膜材料的氢气渗透量，可用于从含氢混合气中选择分离氢气，也可以与涉氢反应耦合构筑膜反应器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阴离子 掺杂 钙钛矿型 混合 导体 透氢膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料，其特征在于，该材料的化学通式为：ACe1-bBbO3-δ-c/2Xc，其中，A为元素Ca、Sr和Ba中的至少一种；B为过渡元素Fe、Co、Ni、Nd、Tm、Y、Yb和Zr中的至少一种；X为卤族元素F、Cl、Br和I中的一种；δ为非化学计量比，0≤δ≤1，0.1≤b≤0.9，0.5≤c≤1。/n
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