[发明专利]一种阴离子掺杂的萤石型钨酸基混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201710207412.6 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106943888B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 王海辉;陈莉;薛健 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22;C01B3/50 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阴离子掺杂的萤石型钨酸基混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用。该材料的化学通式为：LnaW1‑bMbO11.25‑c/2‑δXc，其中，Ln为La、Pr、Nd、Sm、Gd、Er中的一种；M为Nb和/或Mo；X为F、Cl、Br、I中的一种；δ为非化学计量比，5.2≤a≤5.8，0≤b≤0.4，0≤c≤1。本发明的材料可采用固相反应法和EDTA‑柠檬酸混合络合法制备。本发明的材料中，阴离子的掺杂提高了膜材料的氧空穴浓度，大幅度地增加了膜材料的氢气渗透量，并且在含二氧化硫或二氧化碳等酸性气氛下具有很高的操作稳定性，可用于从含氢混合气中选择分离氢气，也可以与涉氢反应耦合构筑膜反应器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阴离子 掺杂 萤石 型钨酸基 混合 导体 透氢膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种阴离子掺杂的萤石型钨酸基混合导体透氢膜材料，其特征在于，该材料的化学通式为：LnaW1‑bMbO11.25‑c/2‑δXc，其中，Ln为镧系元素La、Pr、Nd、Sm、Gd和Er中的一种；M为过渡元素Nb和Mo中的一种或两种；X为卤族元素F、Cl、Br和I中的一种；δ为非化学计量比，0≤δ≤1，5.2≤a≤5.8，0≤b≤0.4，0＜c≤1。
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