[发明专利]一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。

主权项

1.一种氮化镓位置灵敏辐射探测器，其特征在于，所述的氮化镓位置灵敏辐射探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。