[发明专利]一种硼酸盐铁电薄膜、其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201710193518.5 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN106967009B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 潘春阳;刘志强;周康;邓俊霞;李军 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C07D295/03 分类号: C07D295/03;C07D295/023;H01L27/11502;H01L27/11585;H01G4/33;H01L41/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种硼酸盐铁电薄膜、其制备方法和应用,该铁电薄膜由含晶体化合物[C6N2H15][B5O6(OH)4]的母液在柔性导电衬底上干燥成膜制得,所述薄膜的单层平均厚度为115nm~120nm。该成品薄膜在电场下表现出较好的铁电性,在厚度较小的情况下,自发极化值可为0.010μc/cm2,剩余极化值可为0.0024μc/cm2。并且,本发明该铁电薄膜不含对环境有害的重金属元素,利于环保。本发明该材料可用于制作一系列铁电膜器件;本发明制备方法简单、产率高且重复性好,所得铁电薄膜尺寸、厚度容易控制,性质稳定,可在室温下完成制备,原料易得,效率更高。
搜索关键词: 一种 硼酸盐 薄膜 制备 方法 应用
【主权项】:
一种硼酸盐铁电薄膜,其特征在于,由含晶体化合物的母液在柔性导电衬底上干燥成膜制得;所述晶体化合物分子式为[C6N2H15][B5O6(OH)4],空间群为Cc,晶胞参数为:α=90.00°,β=94.406(5)°,γ=90.00°;所述薄膜的单层平均厚度为115nm~120nm。
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