[发明专利]一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法在审
申请号: | 201710192928.8 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN107043922A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 冯奕钰;郑楠楠;封伟 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/513 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法;采用双温场滑轨等离子体PECVD系统,将管式炉充满氩气;将SiO2/Si基板置于放有六羰基钨粉末的容器上方,将放有硫粉的容器置于管式炉的第一个加热炉中心;再将放有六羰基钨的容器放于管式炉的第二个加热炉中心;通入氩气;将管式炉内压强调至133.29Pa,设置等离子体发生装置中等离子体发生器的功率,将第一加热区升温至硫粉的挥发温度,第二加热区升温至六羰基钨的挥发温度;两温区都升温完毕后,改通氩气与氢气的混合气;使二硫化钨沉积在基底,然后降至室温,就得到二维WS2薄膜材料。本发明降低了反应温度;二维硫硫化钨薄膜在二次电池、场效应晶体管等领域具有很好的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 硫化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法,其特征在于包括以下过程:(1)采用双温场滑轨等离子体PECVD系统,将管式炉充满氩气;将SiO2/Si基板置于放有六羰基钨粉末的容器上方,将放有硫粉的容器置于管式炉的第一个加热炉中心;再将放有六羰基钨的容器放于管式炉的第二个加热炉中心;通入氩气;(2)在氩气气氛下,将管式炉内压强调至133.29Pa,设置等离子体发生装置中等离子体发生器的功率,将第一加热区升温至硫粉的挥发温度,第二加热区升温至六羰基钨的挥发温度;两温区都升温完毕后,改通氩气与氢气的混合气;使二硫化钨沉积在基底,然后降至室温,就得到二维WS2薄膜材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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