[发明专利]一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710192928.8 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN107043922A 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 冯奕钰;郑楠楠;封伟 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;C23C16/513
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法;采用双温场滑轨等离子体PECVD系统,将管式炉充满氩气;将SiO2/Si基板置于放有六羰基钨粉末的容器上方,将放有硫粉的容器置于管式炉的第一个加热炉中心;再将放有六羰基钨的容器放于管式炉的第二个加热炉中心;通入氩气;将管式炉内压强调至133.29Pa,设置等离子体发生装置中等离子体发生器的功率,将第一加热区升温至硫粉的挥发温度,第二加热区升温至六羰基钨的挥发温度;两温区都升温完毕后,改通氩气与氢气的混合气;使二硫化钨沉积在基底,然后降至室温,就得到二维WS2薄膜材料。本发明降低了反应温度;二维硫硫化钨薄膜在二次电池、场效应晶体管等领域具有很好的应用。
搜索关键词: 一种 二维 硫化 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法,其特征在于包括以下过程:(1)采用双温场滑轨等离子体PECVD系统,将管式炉充满氩气;将SiO2/Si基板置于放有六羰基钨粉末的容器上方,将放有硫粉的容器置于管式炉的第一个加热炉中心;再将放有六羰基钨的容器放于管式炉的第二个加热炉中心;通入氩气;(2)在氩气气氛下,将管式炉内压强调至133.29Pa,设置等离子体发生装置中等离子体发生器的功率,将第一加热区升温至硫粉的挥发温度,第二加热区升温至六羰基钨的挥发温度;两温区都升温完毕后,改通氩气与氢气的混合气;使二硫化钨沉积在基底,然后降至室温,就得到二维WS2薄膜材料。
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