[发明专利]成膜装置及成膜方法有效
| 申请号： | 201710192799.2 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107267959B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 吉田武史 | 申请（专利权）人： | 株式会社昭和真空 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理，向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体，第二气体配管(90)用于成膜处理，将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间，以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其特征在于，包括：成膜室，其在内部对工件实施成膜处理；原料气体供给部，其用于所述成膜处理，将含有成膜成分的原料气体向所述成膜室供给；气体配管，其用于所述成膜处理，将与所述原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向所述成膜室供给；压力传感器，其安装于所述气体配管，对所述成膜室的内部的压力进行测量；以及控制部，其在从所述原料气体供给部向所述成膜室供给所述原料气体期间，对从所述处理气体蓄存部向所述成膜室供给的方式进行控制,以使所述处理气体在所述气体配管中流动。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
