[发明专利]一种IGBT死区时间的优化方法有效
| 申请号： | 201710188473.2 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106849637B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 向大为;宁晨 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H02M1/38 | 分类号： | H02M1/38 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 宣慧兰 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT死区时间的优化方法，该方法包括如下步骤：(1)采用待优化的IGBT搭建变流器；(2)以当前设定的死区时间运行变流器，获取在该死区时间下变流器的关键性能参数；(3)以步长ΔTd减小死区时间并循环执行步骤(2)直至变流器的关键性能参数发生剧变；(4)对于每种性能参数绘制其随死区时间变化的性能参数‑时间曲线，根据性能参数‑时间曲线获取使得对应性能参数不超过设定阈值时的死区时间作为待选取死区时间；(5)从多个待选取死区时间中选取最大值并留取一定裕量作为IGBT的最优死区时间。与现有技术相比，本发明实施简便，能在确保变流器安全可靠运行前提下有效提高变流器系统的控制性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 死区 时间 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT死区时间的优化方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)采用待优化的IGBT搭建变流器；(2)以当前设定的死区时间运行变流器，获取在该死区时间下变流器的关键性能参数，所述的关键性能参数包括最大直通电流、最大过冲电压、开关损耗以及共模干扰参数；(3)以步长ΔTd减小死区时间并循环执行步骤(2)直至变流器的关键性能参数发生剧变；(4)对于每种性能参数绘制其随死区时间变化的性能参数‑时间曲线，根据性能参数‑时间曲线获取使得对应性能参数不超过设定阈值时的死区时间作为待选取死区时间；(5)从多个待选取死区时间中选取最大值并留取一定裕量作为IGBT的最优死区时间。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
