[发明专利]用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴有效

专利信息
申请号: 201710185866.8 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN106865551B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 唐国强;张宝顺;宗冰;蔡延国;惠庆华;鲍守珍;王体虎 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 赵志远
地址: 810007 青*** 国省代码: 青海;63
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴,属于多晶硅生产领域。喷嘴主要包括芯体,芯体包括第一内管和第一外管,第一外管套设于第一内管上,第一内管包括主通道,并且主通道的出气孔的通流面积比进气口的小。第一外管与第一内管之间的间隙形成辅通道。芯体通过连接部安装在底盘上。由于主通道的进气口的通流面积大于出气口的通流面积,气体在通过主通道时速度越来越快并最终到达还原炉的顶部。进入到辅助通道的气体通过辅助通道后,一部分气体到达还原炉的中部,另一部分从第一外管上的侧通气孔出来到达还原炉的底部。因此物料气体可以比较均匀地分布于整个还原炉中,使得还原反应充分进行。
搜索关键词: 用于 48 多晶 还原 喷嘴
【主权项】:
一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴,其特征在于,所述喷嘴包括芯体,所述芯体包括:第一内管,所述第一内管包括主通道,所述主通道沿所述第一内管的长度方向延伸,包括出气口和进气口,并且所述进气口的通流面积大于所述出气口的通流面积;第一外管,所述第一外管套设于所述第一内管上,所述第一外管与所述第一内管间隙设置形成辅助通道;所述第一外管的管壁上设置有侧通气孔;所述芯体包括进气端和出气端;所述喷嘴还包括分流罩,所述分流罩为壳体结构,套设于所述第一外管上;所述分流罩与所述第一外管的管壁共同围合成混合腔,所述侧通气孔位于所述混合腔内,所述分流罩上还设置有多个壳体通气孔;所述分流罩包括圆形的盖板、底板和筒体,所述盖板和所述底板分别与所述筒体的两端密封连接;所述盖板和所述底板上设置有安装孔,所述第一外管穿过所述安装孔,所述第一外管的管壁与所述盖板和所述底板密封连接;所述喷嘴还包括喷头,所述喷头包括第二内管、第二外管和中心管;所述第二外管套设于所述第二内管上,两者间隔设置形成外通道;所述第二内管套设于所述中心管上,两者间隔设置形成内通道;所述中心管上设置有中心通道,所述中心通道沿所述中心管的长度方向延伸;所述喷头还包括曲面罩,所述曲面罩罩在所述第二内管的出气口上,所述中心管穿过所述曲面罩;所述曲面罩上设置有多个面罩通气孔;所述喷头与所述芯体的出气端连接,所述主通道与所述中心通道及所述内通道连通,所述辅助通道与所述外通道连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚洲硅业(青海)有限公司,未经亚洲硅业(青海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710185866.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top