[发明专利]用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴有效
申请号: | 201710185866.8 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106865551B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 唐国强;张宝顺;宗冰;蔡延国;惠庆华;鲍守珍;王体虎 | 申请(专利权)人: | 亚洲硅业(青海)有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 810007 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴,属于多晶硅生产领域。喷嘴主要包括芯体,芯体包括第一内管和第一外管,第一外管套设于第一内管上,第一内管包括主通道,并且主通道的出气孔的通流面积比进气口的小。第一外管与第一内管之间的间隙形成辅通道。芯体通过连接部安装在底盘上。由于主通道的进气口的通流面积大于出气口的通流面积,气体在通过主通道时速度越来越快并最终到达还原炉的顶部。进入到辅助通道的气体通过辅助通道后,一部分气体到达还原炉的中部,另一部分从第一外管上的侧通气孔出来到达还原炉的底部。因此物料气体可以比较均匀地分布于整个还原炉中,使得还原反应充分进行。 | ||
搜索关键词: | 用于 48 多晶 还原 喷嘴 | ||
【主权项】:
一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴,其特征在于,所述喷嘴包括芯体,所述芯体包括:第一内管,所述第一内管包括主通道,所述主通道沿所述第一内管的长度方向延伸,包括出气口和进气口,并且所述进气口的通流面积大于所述出气口的通流面积;第一外管,所述第一外管套设于所述第一内管上,所述第一外管与所述第一内管间隙设置形成辅助通道;所述第一外管的管壁上设置有侧通气孔;所述芯体包括进气端和出气端;所述喷嘴还包括分流罩,所述分流罩为壳体结构,套设于所述第一外管上;所述分流罩与所述第一外管的管壁共同围合成混合腔,所述侧通气孔位于所述混合腔内,所述分流罩上还设置有多个壳体通气孔;所述分流罩包括圆形的盖板、底板和筒体,所述盖板和所述底板分别与所述筒体的两端密封连接;所述盖板和所述底板上设置有安装孔,所述第一外管穿过所述安装孔,所述第一外管的管壁与所述盖板和所述底板密封连接;所述喷嘴还包括喷头,所述喷头包括第二内管、第二外管和中心管;所述第二外管套设于所述第二内管上,两者间隔设置形成外通道;所述第二内管套设于所述中心管上,两者间隔设置形成内通道;所述中心管上设置有中心通道,所述中心通道沿所述中心管的长度方向延伸;所述喷头还包括曲面罩,所述曲面罩罩在所述第二内管的出气口上,所述中心管穿过所述曲面罩;所述曲面罩上设置有多个面罩通气孔;所述喷头与所述芯体的出气端连接,所述主通道与所述中心通道及所述内通道连通,所述辅助通道与所述外通道连通。
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