[发明专利]一种中空结构的碳包覆硅负极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710185645.0 | 申请日： | 2017-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106848257B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 汪涛;王辉;王启岁 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 汪贵艳 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种中空结构的碳包覆硅负极材料的制备方法，包括：对铜粉进行清洗，得到预处理铜粉；将硅烷偶联剂、有机溶剂按照质量比1：1加入去离子水中溶解形成硅烷化处理液；将预处理铜粉加入硅烷化处理液中，在水浴加热条件下充分搅拌，静置、干燥得硅烷化铜粉；将硅烷化铜粉、有机碳源和溶剂混合均匀，干燥得到前驱物；初步烧结得硅/碳/氧化铜复合材料；经酸洗溶液去除其中的金属离子，得到中空结构的硅/碳复合材料；二次烧结处理即可得到中空结构的碳包覆硅负极材料。本发明制备的负极材料中的硅能够均匀分布在碳包覆层的内层，中空的结构能够有效抑制硅充放电过程中的硅体积效应，有效提高材料的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 结构 碳包覆硅 负极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空结构的碳包覆硅负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对铜粉进行清洗，得到预处理铜粉；（2）将硅烷偶联剂、有机溶剂按照质量比1：1加入去离子水中溶解形成硅烷化处理液；（3）将预处理铜粉加入硅烷化处理液中，在水浴加热条件下充分搅拌，静置后过滤出铜粉，于空气中自然干燥得硅烷化铜粉；（4）将硅烷化铜粉、有机碳源和溶剂混合均匀，然后干燥得到前驱物；将前驱物置于保护性气氛中进行初步烧结，得到硅/碳/氧化铜复合材料；（5）将硅/碳/氧化铜复合材料加入到酸洗溶液中，持续搅拌，待其中的氧化铜反应完全后用去离子水洗，以去除其中的金属离子，得到中空结构的硅/碳复合材料；（6）将中空结构的硅/碳复合材料置于保护性气氛中二次烧结处理即可得到中空结构的碳包覆硅负极材料。
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