[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本公开是关于一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括：提供一衬底基板，衬底基板具有相对的第一面以及第二面；在衬底基板的第一面之上形成金属层并对金属层进行构图处理形成源极以及漏极；在金属层之上形成半导体层；在半导体层之上形成第一绝缘区以及栅极；在半导体层以及栅极之上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成源极引线以及漏极引线；源极引线穿过第二绝缘层和半导体层与源极连接，漏极引线穿过第二绝缘层和半导体层与漏极连接。使用该方法避免半导体层导体化工艺，从而避免出现导体化不均匀现象，使薄膜晶体管的电学特性能提高，且使工艺流程较为简单。

主权项

1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一面以及第二面；在所述衬底基板的第一面之上形成金属层并对所述金属层进行构图处理形成源极以及漏极；在所述金属层之上形成半导体层；在所述半导体层之上形成第一绝缘区以及栅极；在所述半导体层以及栅极之上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成源极引线以及漏极引线；所述源极引线穿过所述第二绝缘层和半导体层与所述源极连接，所述漏极引线穿过所述第二绝缘层和半导体层与所述漏极连接；在所述半导体层之上形成第一绝缘区以及栅极包括：在所述半导体层之上依次形成第一绝缘层以及导电层；其中，所述半导体层、第一绝缘层以及导电层均能够透过预设波段的光；在所述导电层之上形成负性光刻胶层；以所述金属层为掩膜版，利用所述预设波段的光从所述衬底基板的第二面对所述光刻胶层进行曝光；对所述光刻胶层进行显影；对所述第一绝缘层以及导电层进行刻蚀，形成所述第一绝缘区以及栅极；以及去除所述光刻胶层；或在所述半导体层之上形成第一绝缘区以及栅极包括：在所述半导体层之上形成第一绝缘层；其中，所述半导体层以及第一绝缘层能够透过预设波段的光；在所述第一绝缘层之上形成负性光刻胶层；以所述金属层为掩膜版，利用所述预设波段的光从所述衬底基板的第二面对所述光刻胶层进行曝光；对所述光刻胶层进行显影；对所述第一绝缘层进行刻蚀形成所述第一绝缘区；去除所述光刻胶层；以及在所述第一绝缘区之上形成所述栅极；或在所述半导体层之上形成第一绝缘区以及栅极包括：在所述半导体层之上形成第一绝缘区；在所述半导体层以及第一绝缘区之上形成导电层，其中，所述半导体层、第一绝缘区以及导电层能够透过预设波段的光；在所述导电层之上形成负性光刻胶层；以所述金属层为掩膜版，利用所述预设波段的光从所述衬底基板的第二面对所述光刻胶层进行曝光；对所述光刻胶层进行显影；对所述导电层进行刻蚀，形成所述栅极；以及去除所述光刻胶层。