[发明专利]阵列基板及其制备方法和应用有效
申请号: | 201710184240.5 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106935545B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 宫奎 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 赵天月<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提出了阵列基板及其制备方法和应用。该制备阵列基板的方法包括:在衬底基板上形成钝化层;在钝化层远离衬底的一侧形成光刻胶层,并对光刻胶层进行构图工艺形成具有开口图案的光掩膜;对开口图案对应的钝化层区域进行离子注入;刻蚀开口图案对应的钝化层区域,形成贯穿所述钝化层的过孔;剥离光掩膜。本发明所提出的制备方法,通过预先注入离子,使得钝化层刻蚀过程中凹槽的两侧侧壁和底壁形成一层薄薄的保护膜,由于底壁的保护膜相较于两侧壁的更容易被刻蚀掉,从而使垂直方向的刻蚀速度快于侧向的刻蚀速度,从而可有效控制钝化层刻蚀方向,能有效地解决底切不良现象所带来的阵列基板制作良品率降低的问题。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种制备阵列基板的方法,其特征在于,包括:/n在衬底基板上形成钝化层;/n在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层,并对所述光刻胶层进行构图工艺形成具有开口图案的光掩膜;/n对所述开口图案对应的钝化层区域进行离子注入,且所述注入的离子为铝离子;/n刻蚀所述开口图案对应的钝化层区域,形成贯穿所述钝化层的过孔,且所述刻蚀采用的气体为SF6和CF4中的至少一种以及O2;/n剥离所述光掩膜。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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