[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器在审
| 申请号： | 201710170594.4 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106803485A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 武岳;李珊;熊源 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器，该方法包括在基板上沉积金属层；在金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离图案化光阻层。通过上述方法，在形成表面粗糙的图案化金属层之后再进行一次蚀刻，形成表面光滑的图案化金属层，提高了图案化金属层的表面精度，且在第一次蚀刻时不需要降低蚀刻速度，缩短生产时间，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示器 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上沉积金属层；在所述金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对所述金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对所述表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离所述图案化光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
