[发明专利]电介质薄膜和电子部件有效
| 申请号： | 201710169275.1 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107221429B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 城川真生子;政冈雷太郎;内山弘基;藤井祥平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/10 | 分类号： | H01G4/10;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;沈央 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。所述电介质薄膜其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为CA，并且将所述柱状结构B所占的面积记为CB的情况下，所述CA与CB的关系为0.4≤CB/CA≤1.1。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 薄膜 电子 部件 | ||
【主权项】：
1.一种电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为CA，并且将所述柱状结构B所占的面积记为CB的情况下，所述CA与CB的关系为0.4≤CB/CA≤1.1，所述柱状结构为在电介质薄膜整体上沿着基板表面的法线方向或±5°延伸，并且纵横比h/l满足17<(h/l)<40的结构。
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