[发明专利]Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法及器件

摘要

本发明公开一种利用Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，在硅纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内，纳米线表面形成Al2O3薄膜层后仍具有近似原有形貌的结构，可采用原子层沉积、溅射或等化学气相淀积技术在硅基纳米线表面溅射Al2O3薄膜层。还公开了具有Al2O3钝化层的纳米线结构的器件。通过这种Al2O3薄膜钝化表面缺陷态的方法可以进一步提升器件的发光效率和性能。

主权项

一种Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，其特征在于，在硅基纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内。