[发明专利]一种量子阱纳米片薄膜及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201710153779.4 申请日: 2017-03-15
公开(公告)号: CN108624323A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 刘政 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/02;G02F1/13357
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子阱纳米片薄膜及其制备方法与应用,其中,按质量百分计,首先通过将0.01‑40.0%的具有量子阱能级结构的纳米片分散在60.0‑99.99%的介质中,随后搅拌均匀诱导成膜,最后通过压制处理制得所述量子阱纳米片薄膜;本发明的制备方法简单易实现,且制备出的核/壳结构量子阱纳米片薄膜具有高效的量子产率以及稳定的性能,并且将所述薄膜应用于背光模组中能显著增加液晶显示器的色域并降低功耗。
搜索关键词: 量子阱 纳米片 制备 薄膜 液晶显示器 核/壳结构 薄膜应用 背光模组 降低功耗 能级结构 产率 成膜 色域 量子 应用 压制 诱导
【主权项】:
1.一种量子阱纳米片薄膜,其特征在于,按质量百分比计,包括具有量子阱能级结构的纳米片0.01‑40.0%,以及用于分散所述纳米片的介质60.0‑99.99%。
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