[发明专利]一种纳米成像技术测量样品的导热系数的方法在审

专利信息
申请号: 201710149127.3 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN106932434A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 常帅;张海军;黄明柱;徐松 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20;G01N25/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种纳米成像技术测量样品的导热系数的方法,方法包括STEP1利用红外光脉冲加热样品;STEP2原子力显微镜(AFM)记录样品的形变,并绘制出地形图;STEP3根据样品的形变得到热膨胀函数;STEP4与分析软件中存储的对照物热膨胀函数进行对照,确定待测样品对应系统中的已有对照物信息;STEP5查看对照物的导热系数。本发明的有益效果是不仅可以得到待测物的热膨胀率,同时得到相互关联的导热系数,功能齐全,使用简单。
搜索关键词: 一种 纳米 成像 技术 测量 样品 导热 系数 方法
【主权项】:
一种纳米成像技术测量样品的导热系数的方法,其特征在于,包括:STEP 1:利用红外光脉冲加热样品;STEP 2:原子力显微镜(AFM)记录样品的形变,并绘制出地形图;STEP 3:根据样品的形变得到热膨胀函数;STEP4:与分析软件中存储的对照物热膨胀函数进行对照,确定待测样品对应系统中的已有对照物信息;STEP5:查看对照物的导热系数。
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