[发明专利]静态随机存取记忆体装置

摘要

根据部分实施例提供一静态随机存取记忆体装置。静态随机存取记忆体装置包括一外围逻辑电路、多个双端口静态随机存取记忆胞、一位于一第一金属层中的第一群金属线、一位于一第二金属层中的第二群金属线、一位于一第三金属层中的第三群金属线以及多个跨接结构。各双端口静态随机存取记忆胞包括一写入端口部以及一读取端口部。各跨接结构包括位于第二金属层中，并且电性连接至第一和第三金属层的金属线的第一、第二和第三金属连接垫。

主权项

一种静态随机存取记忆体装置，其特征在于，包括：一外围逻辑电路；多个双端口静态随机存取记忆胞，各所述双端口静态随机存取记忆胞包括：一写入端口部，包括一第一群晶体管；以及一读取端口部，包括一第二群晶体管；一第一群金属线，包括一写入位线、一反向写入位线、一读取位线、一写入字符线连接垫与一读取字符线连接垫，其中所述第一群金属线位于一第一金属层中；一第二群金属线，包括一写入字符线，其中所述第二群金属线位于一第二金属层中；一第三群金属线，包括一全域写入位线与一反向全域写入位线，其中所述第三群金属线位于一第三金属层中；以及多个跨接结构，各所述跨接结构包括：一第一金属连接垫，位于所述第二金属层中，且电性连接至所述写入位线和所述全域写入位线；一第二金属连接垫，位于所述第二金属层中，且电性连接至所述反向写入位线和所述反向全域写入位线；以及一第三金属连接垫，位于所述第二金属层中，且电性连接至所述读取位线与所述外围逻辑电路的一外围金属线，所述外围金属线位于所述第一金属层中。