[发明专利]一种PbI2微纳结构的控制合成方法有效
| 申请号： | 201710142000.9 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106809874B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;袁玲;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C01G21/16 | 分类号： | C01G21/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 舒启龙 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种PbI2微纳结构的控制合成方法，最终得到的PbI2纯度高，形貌特点明确，得到的PbI2微米线尺寸均一，直径约1μm。该方法无需复杂设备和原料，操作简单快捷，能耗低，使用该方法可同时获得PbI2纳米片和PbI2微米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pbi2 结构 控制 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种PbI2微纳结构的控制合成方法，其特征是，包括以下步骤：a.配制溶液在25℃下，称取0.10～0.15g的PbI2粉末，将其完全溶解在15～20mL的四氢呋喃中，搅拌；b.超声和搅拌溶液在超声处理10分钟，然后继续搅拌2～3小时，随后静置；c.分离和制备静置24小时后，将上层溶液和下层沉淀分离，并用滴管取适当溶液于干净的硅片上，干燥后得到PbI2纳米片；同时，下层沉淀经过滤、干燥后得到PbI2微米线。
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