[发明专利]应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置有效
申请号: | 201710138600.8 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN106960805B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 孟林 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法,该方法包括:采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层,并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属;在所述孔内电镀金属层;以及采用探针与所述金属层连接,以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。本发明还公开了对应的装置。本发明提高测量晶体管的电学特性的成功率,有利于快速判断出电性异常,从而快速提升显示面板的良品率。 | ||
搜索关键词: | 应用于 显示 面板 晶体管 测量方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法,其特征在于,包括:/n采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层,并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属;/n在所述孔内电镀金属层;以及/n采用探针与所述金属层连接,以对所述晶体管的电极金属进行电性测试;/n所述采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层包括:/n以第一参数镭射所述显示面板上预设区域内的所述无机层以去除所述预设区域内的无机层,其中所述预设区域位于所述电极金属之上,且所述预设区域的面积大于所述电极金属;/n所述采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属包括:/n以第二参数镭射所述预设区域内位于所述电极金属上方的有机层以使所述有机层形成孔至所述电极金属;/n所述第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小,其中所述第一夹缝尺寸对应于所述预设区域的面积,所述第一能量大小与所述无机层的厚度成预设比例;/n所述第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小,其中,所述第二夹缝尺寸小于所述第一夹缝尺寸,所述第二能量大小大于所述第一能量大小,所述第二夹缝尺寸对应于所述金属电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造