[发明专利]应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置

说明书

本发明公开一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法，该方法包括：采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；在所述孔内电镀金属层；以及采用探针与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。本发明还公开了对应的装置。本发明提高测量晶体管的电学特性的成功率，有利于快速判断出电性异常，从而快速提升显示面板的良品率。

技术领域

本发明涉及显示屏技术领域，尤其涉及一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置。

背景技术

随着科技的发展，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)显示屏在中高端小尺寸产品已获得越来越多的应用，例如智能手机中，LTPS技术可以通过激光退火等方法在玻璃基板上形成高迁移率的多晶硅半导体层，进而通过LTPS技术制作而成的LTPS显示屏具有高分辨率、高开口率、高反应速度、低功耗等优点。

LTPS显示面板的生产过程复杂，导致其良品率会受各种因素的影响，例如，LTPS显示面板内的器件电性不均匀而造成的显示不均现象，因此，其器件的电学特性是非常重要的监控项目。

然而在生产LTPS显示面板的基板时，在形成显示区TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)之后，上方有有机平坦层，约2.5～3um，导致量测电性时扎针无法扎到TFT上，导致量测电性失败，成功率低。

发明内容

本发明的目的在于，针对现有技术中的LTPS显示面板中量测TFT的成功率低的问题，提供一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是提供了一种应用于显示面板的晶体管电性测量方法，包括：采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；在所述孔内电镀金属层；以及采用探针与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。

在一个实施例中，所述采用镭射去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层包括：以第一参数镭射所述显示面板上预设区域内的所述无机层以去除所述预设区域内的无机层；所述采用镭射从所述显示面板中设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属包括：以第二参数镭射所述预设区域内位于所述电极金属上方的有机层以使所述有机层形成孔至所述电极金属。

在一个实施例中，所述第一参数包括第一夹缝尺寸和第一能量大小，其中所述第一夹缝尺寸对应于所述预设区域的面积，所述第一能量大小与所述无机层的厚度成预设比例。

在一个实施例中，所述第二参数包括第二夹缝尺寸和第二能量大小，其中，所述第二夹缝尺寸小于所述第一夹缝尺寸，所述第二能量大小大于所述第一能量大小，所述第二夹缝尺寸对应于所述金属电极。

在一个实施例中，所述在所述孔内电镀金属层包括：采用聚焦离子束沿着预设方向电镀金属以形成所述金属层；其中，所述预设方向为从所述孔的底部延伸到所述有机层的表面。

在一个实施例中，所述预设方向为从所述孔的底部经过所述孔的侧壁延伸到所述显示面板中去除所述无机层后的有机层的上表面，所述探针设置于位于所述有机层的上表面的所述金属层上。

本发明解决上述技术问题所采用的另一技术方案是提供了一种应用于显示面板的晶体管电性测量装置，包括：镭射组件，用于去除所述显示面板中设置于所述晶体管的电极金属之上的无机层，并从所述显示面板的设置于所述电极金属之上的有机层打孔至所述晶体管的电极金属；电镀组件，用于在所述孔内电镀金属层；以及探针，用于与所述金属层连接，以对所述晶体管的电极金属进行电性测试。