[发明专利]减少外延层中缺陷的方法在审
| 申请号： | 201710134305.5 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107177831A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-约阿希姆·舒尔策;约翰内斯·鲍姆加特尔;赫尔穆特·厄夫纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种减少外延层中缺陷的方法。所述方法包括在晶片衬底的外周边缘区域之内形成一个或更多个阻挡结构，以及在晶片衬底的表面上形成外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 外延 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底的外周边缘区域内形成一个或更多个阻挡结构；以及在所述衬底上形成外延层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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