[发明专利]石墨烯层的形成方法在审
| 申请号： | 201710130749.1 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107792849A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 涂志强;陈俊郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种石墨烯层的形成方法包括在衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层，从而形成第一组件。所述方法还包括将载体附着至所述石墨烯层；自所述第一组件移除所述衬底；以及自所述第一组件移除所述第一材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯层的形成方法，其特征在于，包括：在衬底之上沉积第一材料层；在所述第一材料层之上沉积石墨烯层，从而形成具有所述衬底、所述第一材料层及所述石墨烯层的第一组件；将载体附着至所述石墨烯层；自所述第一组件移除所述衬底；以及自所述第一组件移除所述第一材料层。
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