[发明专利]采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法在审
| 申请号： | 201710122157.5 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106841146A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 黄洋;伊晓燕;刘志强;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法，其是通过分析半导体材料变温PL谱谱峰强度随温度升高而下降的热淬灭行为，计算获得半导体材料的杂质电离能，具体方法包括步骤1测量待测半导体材料的变温PL谱；步骤2通过谱峰拟合，获得待测半导体材料在不同温度下的热淬灭峰谱峰强度；步骤3拟合热淬灭峰谱峰强度‑温度关系实验数据，获得半导体材料杂质电离能，包括施主杂质电离能和受主杂质电离能；步骤4重复步骤1‑3，多次测量待测半导体材料的杂质电离能，采用最小二乘法，计算多次测量后的杂质电离能。本发明是利用无损的光谱解析技术，克服了现有测试手段复杂有损的技术缺点，不仅快速简便、精度高，而且对于测试材料无损。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 pl 获取 半导体材料 杂质 电离能 无损 测量方法 | ||
【主权项】：
一种采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法，其是通过分析半导体材料变温PL谱谱峰强度随温度升高而下降的热淬灭行为，计算获得半导体材料的杂质电离能，具体方法包括：步骤1：测量待测半导体材料的变温PL谱；步骤2：通过谱峰拟合，获得待测半导体材料在不同温度下的热淬灭峰谱峰强度；步骤3：拟合热淬灭峰谱峰强度‑温度关系实验数据，获得半导体材料杂质电离能，包括施主杂质电离能和受主杂质电离能；步骤4：重复步骤1‑3，多次测量待测半导体材料的杂质电离能，采用最小二乘法，计算多次测量后的杂质电离能。
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