[发明专利]用于薄外延工艺静电放电保护的可控硅整流器及制备方法在审
| 申请号： | 201710116193.0 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106876369A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 谢儒彬;吴建伟;陈海波;洪根深 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于薄外延工艺ESD保护的SCR器件及其制备方法，属于超大规模集成电路静电放电保护技术领域。该SCR器件包含一个P+硅衬底和一个P‑外延层，P‑外延层中形成相邻接的N阱区域、P阱区域和深N阱层，两个阱区域中分别有N+、P+重掺杂区和STI浅槽隔离区；深N阱层位于N阱区域和P阱区域的下方，与N阱、P阱区域相接触，有效阻止了P型硅衬底中重掺杂离子向P阱中扩散，解决P阱体电阻减小的问题；同时由于深N阱与P阱的反向击穿电压远小于N阱与P阱的反向击穿电压，因此可以有效降低SCR器件的触发电压，实现薄外延工艺中电路抗ESD性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 工艺 静电 放电 保护 可控 硅整流器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于薄外延工艺静电放电ESD保护的可控硅整流器SCR，所述SCR包括P型硅衬底、P‑外延层、深N阱层、N阱区域、P阱区域、N+重掺杂区域、P+重掺杂区域、浅槽隔离STI区域，其特征在于，所述深N阱层位于所述N阱区域和所述P阱区域的下方，且与所述N阱区域和P阱区域相接。
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