[发明专利]氮化硅多孔陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201710114862.0 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107056306A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张天舒;宋晓超;何东;张天宇 | 申请（专利权）人： | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64;C04B38/00 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 周超 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种氮化硅多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤1)按照重量百分数计算，称取氮化硅粉体40～95％、烧结助剂1～20％与稀土氟化物2～6％，混合均匀得到混合料；2)将步骤1)的混合料加入到质量浓度为0.5％～10％聚乙烯醇溶液中，进行球磨，球磨时间为2～24h，浆料烘干、过筛，然后模压成型为坯件；3)将坯件在氮气气氛下快速升温到1100℃，再慢速升温到1500℃，然后以0.6℃/min的升温速度升温到1700～1850℃，保温1～10小时，烧结过程中始终通入流动氮气，最后随炉冷却，即获得氮化硅多孔陶瓷；其中，烧结助剂由氧化镁、二氧化硅与碳酸钡组成。该制备方法获得的氮化硅多孔陶瓷气孔率高且抗弯强度高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照重量百分数计算，称取氮化硅粉体40～95％、烧结助剂1～20％与稀土氟化物2～6％，混合均匀得到混合料；2)将步骤1)的混合料加入到质量浓度为0.5％～10％聚乙烯醇溶液中，进行球磨，球磨时间为2～24h，浆料烘干、过筛，然后模压成型为坯件；3)将坯件在氮气气氛下快速升温到1100℃，再慢速升温到1500℃，然后以0.6℃/min的升温速度升温到1700～1850℃，保温1～10小时，烧结过程中始终通入流动氮气，最后随炉冷却，即获得氮化硅多孔陶瓷；其中，所述烧结助剂由氧化镁、二氧化硅与碳酸钡组成。
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