[发明专利]氧化物超导体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710112427.4 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN107768018B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 荒木猛司;石井宏尚;小林奈央 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/02;H01B12/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘凤岭;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施方式涉及氧化物超导体及其制造方法。提供导入人工钉扎且磁场特性得以提高的氧化物超导体及其制造方法。实施方式的氧化物超导体具有氧化物超导层,该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡以及铜的连续的钙钛矿型结构;上述稀土类元素包含Pr即第1元素,选自Nd、Sm、Eu和Gd中的至少一种的第2元素,选自Y、Tb、Dy和Ho中的至少一种的第3元素以及选自Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的第4元素。在将第1元素的原子数设定为N(PA)、第2元素的原子数设定为N(SA)、第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下,1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)-N(PA))≤N(SA)。
搜索关键词: 氧化物 超导体 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种氧化物超导体,其具有氧化物超导层,该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡(Ba)以及铜(Cu)的连续的钙钛矿型结构;所述稀土类元素包含镨(Pr)即第1元素,选自钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)和钆(Gd)组中的至少一种的第2元素,选自钇(Y)、铽(Tb)、镝(Dy)和钬(Ho)组中的至少一种的第3元素,以及选自铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)组中的至少一种的第4元素;在将所述第1元素的原子数设定为N(PA)、所述第2元素的原子数设定为N(SA)、所述第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下,1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)-N(PA))≤N(SA)。
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