[发明专利]一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710112369.5 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106960907B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 谷婷;王国祥;刘画池;沈祥;吕业刚;李超;王慧 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于相变存储器的稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0 |
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| 搜索关键词： | 一种 稀土 er 掺杂 ge2sb2te5 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0.4
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