[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710111813.1 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106972085A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 武艳萍 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括衬底，依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1‑xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1‑xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。该发光二极管外延片能够提高发光二极管发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1‑xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1‑xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
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