[发明专利]单磁场磁悬浮结构有效
| 申请号： | 201710061976.3 | 申请日： | 2017-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106712583B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 胡海辉 | 申请（专利权）人： | 胡海辉 |
| 主分类号： | H02N15/00 | 分类号： | H02N15/00 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 郭智 |
| 地址： | 157000 黑龙江省牡丹江市*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明专利公布的是单磁场磁悬浮结构，是一种磁悬浮结构。这个结构必须有强磁体、磁流体和导磁率小于磁流体的固态物体存在，在强磁体表面吸附上磁流体后，强磁体和结构中的固态物体介于磁流体接触而形成的可同时或单独具有悬浮、润滑、密封和减震功能的不同结构；而由于结构中的强磁体对导磁率小于磁流体的固态物体的吸引作用，而构成的可定位悬浮结构、在运动过程中有阻尼和制动效应的悬浮结构、润滑、密封和减震功能的单磁场结构；及在上述结构中以外的磁场和导磁体介入的作用下而构成的具有悬浮位置、阻尼和制动效应和移动过程可控的单磁场磁悬浮结构和阻尼可控的单磁场润滑结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 磁悬浮 结构 | ||
【主权项】：
一种必须有强磁体、磁流体和一个导磁率小于磁流体的固态物体存在，强磁体吸附上磁流体后，形成强磁体和导磁率小于磁流体的固体物体间介于磁流体隔离而不直接接触的结构。
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