[发明专利]电阻式记忆体有效
| 申请号： | 201710056359.4 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107026235B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;张冠张;蔡宗鸣;朱天健;潘致宏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 唐轶 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要公开一种电阻式记忆体，用于解决现有电阻式记忆体切换速度慢的问题，本发明的电阻式记忆体可包括：一个导热层；一个第一电极层，叠设于该导热层；一个热围阻体，叠设于该第一电极层，该热围阻体具有一个通孔，该第一电极层局部裸露于该通孔内；一个变阻层，由该热围阻体的通孔内裸露的第一电极层向外延伸至该通孔外的热围阻体表面；及一个第二电极层，叠设于该变阻层。借此，可确实解决上述问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 记忆体 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式记忆体，其特征在于：包括：一个导热层，具有一个凸出部；一个第一电极层，叠设于该导热层的凸出部；一个热围阻体，叠设于该导热层，该热围阻体围绕该第一电极层，并形成一个通孔，该凸出部及该第一电极层容纳于该热围阻体的通孔内；一个变阻层，由该热围阻体的通孔内的第一电极层向外延伸至该通孔外的热围阻体表面；及一个第二电极层，叠设于该变阻层。
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