[发明专利]一种GaAs基AlGaInP单面双电极高亮四元发光二极管灯丝及其制备方法

摘要

本发明涉及一种GaAs基AlGaInP四元发光二极管灯丝及其制备方法。包括GaAs基AlGaInP四元发光二极管芯片，在芯片的每个周期单元两端均刻蚀形成端台面，并在该端台面上制作有金属引线电极；在每个周期单元内沿芯片单元一侧，经刻蚀形成对芯片单元的水平环切，并在GaAs衬底上芯片单元之间形成缝隙；对DBR层进行氧化使之成为绝缘层；裂片后以GaAs衬底为基板，周期单元内的相邻芯片单元之间P电极与N电极导线连通，有荧光胶包覆层将各芯片单元及基板完全包覆，引脚线部分露出荧光胶包覆层外。本发明突破了LED封装难题，使外延芯片至LED灯丝的整体成本降低55％以上，可直接进行封装，提高封装产出率。

主权项

1.一种基于GaAs基AlGaInP四元发光二极管灯丝，包括GaAs基AlGaInP四元发光二极管芯片，该芯片是在GaAs衬底上依次外延有GaAs层、布拉格反射镜层、N型AlGaInP层、量子阱有源区、P型AlGaIn层、GaP层，在GaP层上制作有P电极，在N型AlGaInP层上制有台面I并在该台面上制有N电极，形成有若干个周期单元的LED芯片；在所述的LED芯片的每个周期单元两端均刻蚀到GaAs衬底上表面形成端台面并在该端台面上制作有金属引线电极；在每个周期单元内沿芯片单元一侧，由GaP层一直刻蚀到N型AlGaInP层，沿N型AlGaInP层的上表层进行半切，形成对芯片单元的水平环切，并在GaAs衬底上芯片单元之间形成缝隙；所述布拉格反射镜层被氧化成为绝缘层；沿每个周期单元端台面裂片，GaAs衬底为基板，所得周期单元内的相邻芯片单元之间P电极与N电极导线连通，由所述端台面II上的金属引线电极接出引脚线，有荧光胶包覆层将各芯片单元及基板完全包覆，引脚线部分露出荧光胶包覆层外。