[发明专利]一种应用相变材料作为隧穿层的自旋电子器件有效
| 申请号： | 201710047209.7 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106816529B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;郭思德;赵巍胜;张有光 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用相变材料作为隧穿层的自旋电子器件，具体为一种非局域自旋注入器件，其最下端为自旋沟道，所述自旋沟道上方的外侧两端各沉积一普通金属电极，自旋沟道上方中部沉积两个隧穿层，并在隧穿层上各沉积一个铁磁金属电极；其特征在于：所述的隧穿层为能够在温度和光照驱动下发生相变的材料；且该器件进一步包括有温度控制模块或光照控制模块。本发明提出的相变隧穿层(如二氧化钒)，可以用温度和光照控制电阻。隧穿电阻可以被人为调控在合适区间内，从而提高了自旋电子器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 相变 材料 作为 隧穿层 自旋 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种应用相变材料作为隧穿层的自旋电子器件，具体为一种非局域自旋注入器件，其最下端为自旋沟道，所述自旋沟道上方的外侧两端各沉积一普通金属电极，自旋沟道上方中部沉积两个隧穿层，并在隧穿层上各沉积一个铁磁金属电极；其特征在于：所述的隧穿层为能够在温度和光照驱动下发生相变的材料；且该器件进一步包括有温度控制模块或光照控制模块，通过控制温度或外加光照，驱动隧穿层的相变，进而调控隧穿层的阻值，最终实现自旋电子器件性能的调控；所述隧穿层包括二氧化钒(VO2)。
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