[发明专利]四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法及其用途在审
| 申请号： | 201710045195.5 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN107059123A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 孙同庆;王策;孔勇发;刘宏德;刘士国;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B15/00;C30B17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料并混合均匀，经预烧与烧结后，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体；将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，采用泡生法或提拉法在熔体中生长四偏磷酸二钾锶晶体。该晶体可用于制作非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块四偏磷酸二钾锶晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸 二钾锶 晶体 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料，将原料研磨混均后，经预烧与烧结，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体，再将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，待用；(b)在熔体中使用熔体法生长晶体，所述的熔体法包括泡生法或提拉法。
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