[发明专利]一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710029756.2 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106816528B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;吴卫华;陈施谕 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用，该相变薄膜为Ge50Te50相变材料和Ge8Sb92相变材料呈周期溅射得到的膜层，制备时，清洗SiO2/Si(100)基片；安装好溅射靶材，先后开启机械泵和分子泵抽真空；设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率；采用室温磁控溅射方法制备[Ge50Te50(a)/Ge8Sb92(b)]x纳米复合多层相变薄膜。与现有技术相比，本发明具有热稳定性好、相变速度快、存储密度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 多层 相变 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，该相变薄膜为Ge50Te50相变材料和Ge8Sb92相变材料呈周期性复合得到纳米复合多层相变薄膜，所述的相变薄膜的结构通式为[Ge50Te50(a)/Ge8Sb92(b)]x，总厚度为32～80nm，其中，a为每层相变薄膜中Ge50Te50材料的厚度，为4～8nm，b为每层相变薄膜中Ge8Sb92材料的厚度，为4～8nm，x为相变薄膜结构的周期数，x为4或5。
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