[发明专利]一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法有效
| 申请号： | 201710012772.0 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN106676596B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈天顺;李南生 | 申请（专利权）人： | 鹏南科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D7/12;C25D5/14 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 何家富 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明所采用的技术方案是：一种碲化铋温差致冷芯片的电镀选择区域点镀加工方法，该工艺采用感光胶遮蔽工艺，对需要电镀的区域进行涂胶─曝光─显影出来接触药水进行电镀，其它区域由耐电镀感光胶保护，待电镀后在把感光胶去除掉，达到选择电镀区域的目的。工艺布局合理可行，节约镍、锡和黄金的损耗，提高切割粉末的回收利用，产品表面镀层结合力好，大幅度降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋 温差 致冷 芯片 选择 电镀 区域 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法，其特征在于包括如下步骤：S1，进行感光胶选择性遮蔽的步骤：将碲化铋基体涂覆感光胶，而后进行选择性曝光，再后进行显影，以使待电镀区域暴露，其它区域由耐电镀的感光胶覆盖保护；S2，进行金属层电镀的步骤：将步骤S1处理后的碲化铋基体放入电镀液中进行电镀处理；S3，进行感光胶去除的步骤：将步骤S2处理后的碲化铋基体进行去胶，把碲化铋基体表面的感光胶去除，电镀区域和未电镀区域显现出来，即实现了碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工；S4,切合以及回收的步骤：在未电镀区域切割碲化铋基体，直接回收碲化铋基体的切割粉末。
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