[发明专利]含氧化物纳米颗粒缓冲层的太阳能电池和制造方法有效
申请号: | 201680069273.9 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN108292688B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | K·A·布什;C·D·拜利;M·D·麦格希;T·莱杰腾斯 | 申请(专利权)人: | 小利兰·斯坦福大学理事会 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L51/46;H01G9/20 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于在导电层的高能沉积期间保护有机层的缓冲层。根据本发明的缓冲层特别适合用于基于钙钛矿的单结太阳能电池和包括至少一个钙钛矿基吸收层的双结太阳能电池结构。在某些实施例中,所述缓冲层包括使用溶液态处理形成的基于氧化物的纳米颗粒层,其中在包含有机层的结构上旋涂包含纳米颗粒和挥发性溶剂的溶液。随后在不降解有机层的低温过程中除去溶剂。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 纳米 颗粒 缓冲 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.光电子器件,包括:包含有机材料的第一层;包含多个氧化物纳米颗粒的第二层,其所述多个氧化物纳米颗粒的特征为宽能带隙;以及第一透明导电电极;其特征在于,所述第二层在所述第一层和所述第一透明导电电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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